Memoria RAM DDR3 8GB 1600MT/s Kingston KVR16LN11/8WP, CL11, DIMM, 1.35V
Descripción
Memoria RAM Kingston 8GB DDR3L 1600MHz SODIMM CL11 1.35V - Rendimiento Óptimo para Portátiles
Mejora el rendimiento de tu portátil con la memoria RAM Kingston de 8GB DDR3L a 1600MHz, latencia CL11 y voltaje de 1.35V. Ideal para multitarea y aplicaciones exigentes.
Descripción del Producto
La memoria RAM Kingston de 8GB DDR3L 1600MHz SODIMM CL11 1.35V es la solución perfecta para quienes buscan optimizar el rendimiento de sus portátiles. Diseñada para ofrecer una experiencia de usuario fluida, esta memoria es ideal para tareas multitarea y aplicaciones que demandan altos recursos.
Con una capacidad de 8GB y una velocidad de 1600MHz, este módulo garantiza una respuesta rápida y eficiente. Su latencia CL11 y voltaje de 1.35V aseguran un consumo energético reducido, prolongando la vida útil de la batería de tu portátil.
Características Destacadas:
- Capacidad de 8GB: Permite ejecutar múltiples aplicaciones simultáneamente sin ralentizaciones.
- Velocidad de 1600MHz: Ofrece un rendimiento rápido y eficiente para tareas cotidianas y profesionales.
- Latencia CL11: Proporciona tiempos de respuesta óptimos, mejorando la experiencia del usuario.
- Voltaje de 1.35V: Reduce el consumo de energía, ideal para prolongar la duración de la batería.
- Formato SODIMM: Compatible con una amplia gama de portátiles que soportan DDR3L.
Especificaciones Técnicas
| Marca | Kingston |
|---|---|
| Modelo | KVR16LS11/8 |
| Capacidad | 8GB |
| Tipo de Memoria | DDR3L |
| Velocidad | 1600MHz (PC3-12800) |
| Latencia CAS | CL11 |
| Voltaje | 1.35V |
| Formato | SODIMM |
| Número de Pines | 204 |
| Configuración | 1 x 8GB |
| ECC | No |
| Buffered/Registered | No |
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| Características | |
|---|---|
| Memoria interna | 8 GB |
| Diseño de memoria (módulos x tamaño) | 1 x 8 GB |
| Tipo de memoria interna | DDR3 |
| Velocidad de memoria del reloj | 1600 MHz |
| Componente para | PC/servidor |
| Forma de factor de memoria | 240-pin DIMM |
| ECC | No |
| Tipo de memoria con búfer | Unregistered (unbuffered) |
| Latencia CAS | 11 |
| Clasificación de memoria | 2 |
| Voltaje de memoria | 1.35 V |
| Configuración de módulos | 1024M x 64 |
| Tiempo de ciclo de fila | 48,125 ns |
| Tiempo de actualización de ciclo de fila | 260 ns |
| Tiempo activo en fila | 35 ns |
| Perfil SPD | Si |
| Placa de plomo | Oro |
| Estándar JEDEC | Si |
| Condiciones ambientales | |
|---|---|
| Intervalo de temperatura operativa | 0 - 85 °C |
| Intervalo de temperatura de almacenaje | -55 - 100 °C |
| Peso y dimensiones | |
|---|---|
| Ancho | 133,3 mm |
| Altura | 18,8 mm |